协昌科技获得发明专利授权：“一种削减光罩层数的半导体功率器件及其制备方法”

专利摘要：本发明提出一种削减光罩层数的半导体功率器件及其制备方法，其在半导体基板的第一导电类型外延层上表面开设第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽之间、第二沟槽相互之间的第一表面上均设置有硬掩膜层；第一沟槽内壁及其外围、第二沟槽内壁及其外围设有栅氧化层，第一沟槽内、第二沟槽内填满导电多晶硅，第一沟槽及其外围、第二沟槽及其外围、硬掩膜层上方均覆盖有绝缘介质层；第一沟槽之间及其外围、第二沟槽外围均从上至下设有第一导电类型注入层和第二导电类型注入层；第一沟槽及其外围上方的绝缘介质层上覆盖有金属层。本发明在保证器件的性能和可靠性的基础上，光罩层数减少至3层，有效降低制造成本。

今年以来协昌科技新获得专利授权35个，较去年同期减少了25.53%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了903.7万元，同比增36.71%。

数据来源：企查查

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