华为公司申请一种互补场效应晶体管、其制备方法、存储器及电子设备专利，实现水平投影面积较小的CFET

华信小编
行业资讯
2023-12-11
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金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种互补场效应晶体管、其制备方法、存储器及电子设备“，公开号CN117199073A，申请日期为2022年5月。

专利摘要显示，一种互补场效应晶体管、其制备方法、存储器及电子设备。其中，该互补场效应晶体管中包括第一FET和第二FET，第一FET和第二FET中一个FET为N型FET，另一个FET为P型FET。由于第一FET和第二FET的沟道层均沿垂直方向环绕或部分环绕栅极设置，因此相比平面型的FET，本申请中第一FET和第二FET的水平投影面积均比较小。并且，将第一FET和第二FET堆叠设置，可以使得第一FET和第二FET的水平投影间距缩小至0，从而实现一种水平投影面积较小的CFET。并且，由于该CFET中两个FET的沟道长度均由源极和漏极之间的距离决定，在制备时，可以通过控制膜层的厚度来实现，不需要依赖高精度的光刻技术，因此制备工艺简单，成本低。